環(huán)境溫度是導致元件失效的重要因素。

溫度變化對半導體器件的影響：構(gòu)成雙極型半導體器件的基本單元P-N結(jié)對溫度的變化很敏感，當P-N結(jié)反向偏置時，由少數(shù)載流子形成的反向漏電流受溫度的變化影響，其關(guān)系為：

?

式中：

• ICQ：溫度T0C時的反向漏電流。

• ICQR：溫度TR℃時的反向漏電流。

• (T－TR)：溫度變化的＊＊值。

由上式可以看出，溫度每升高10℃，ICQ將增加一倍。這將造成晶體管放大器的工作點發(fā)生漂移、晶體管電流放大系數(shù)發(fā)生變化、特性曲線發(fā)生變化，動態(tài)范圍變小。

溫度與允許功耗的關(guān)系如下：

式中：

• P_CM：＊大允許功耗。

• TjM：＊高允許結(jié)溫。

• T：使用環(huán)境溫度。

• RT：熱阻。

由上式可以看出，溫度的升高將使晶體管的＊大允許功耗下降。

由于P-N結(jié)的正向壓降受溫度的影響較大，所以用P-N為基本單元構(gòu)成的雙極型半導體邏輯元件（TTL、HTL等集成電路）的電壓傳輸特性和抗干擾度也與溫度有密切的關(guān)系。當溫度升高時，P-N結(jié)的正向壓降減小，其開門和關(guān)門電平都將減小，這就使得元件的低電平抗干擾電壓容限隨溫度的升高而變??；高電平抗干擾電壓容限隨溫度的升高而增大，造成輸出電平偏移、波形失真、穩(wěn)態(tài)失調(diào)，甚至熱擊穿。

溫度變化的影響

1、對電阻的影響

溫度變化對電阻的影響主要是溫度升高時，電阻的熱噪聲增加，阻值偏離標稱值，允許耗散概率下降等。比如，RXT系列的碳膜電阻在溫度升高到100℃時，允許的耗散概率僅為標稱值的20％。

但我們也可以利用電阻的這一特性，比如，有經(jīng)過特殊設(shè)計的一類電阻：PTC（正溫度系數(shù)熱敏電阻）和NTC（負溫度系數(shù)熱敏電阻），它們的阻值受溫度的影響很大。

對于PTC，當其溫度升高到某一閾值時，其電阻值會急劇增大。利用這一特性，可將其用在電路板的過流保護電路中，當由于某種故障造成通過它的電流增加到其閾值電流后，PTC的溫度急劇升高，同時，其電阻值變大，限制通過它的電流，達到對電路的保護。而故障排除后，通過它的電流減小，PTC的溫度恢復(fù)正常，同時，其電阻值也恢復(fù)到其正常值。

對于NTC，它的特點是其電阻值隨溫度的升高而減小。

2、電容的影響

溫度變化將引起電容的到介質(zhì)損耗變化，從而影響其使用壽命。溫度每升高10℃時，電容器的壽命就降低50％，同時還引起阻容時間常數(shù)變化，甚至發(fā)生因介質(zhì)損耗過大而熱擊穿的情況。

此外，溫度升高也將使電感線圈、變壓器、扼流圈等的絕緣性能下降。

溫度導致失效

濕度過高，當含有酸堿性的灰塵落到電路板上時，將腐蝕元器件的焊點與接線處，造成焊點脫落，接頭斷裂。

濕度過高也是引起漏電耦合的主要原因。

而濕度過低又容易產(chǎn)生靜電，所以環(huán)境的濕度應(yīng)控制在合理的水平。

過高電壓導致失效

施加在元器件上的電壓穩(wěn)定性是保證元器件正常工作的重要條件。過高的電壓會增加元器件的熱損耗，甚至造成電擊穿。對于電容器而言，其失效率正比于電容電壓的5次冪。對于集成電路而言，超過其＊大允許電壓值的電壓將造成器件的直接損壞。

電壓擊穿是指電子器件都有能承受的＊高耐壓值，超過該允許值，器件存在失效風險。主動元件和被動元件失效的表現(xiàn)形式稍有差別，但也都有電壓允許上限。晶體管元件都有耐壓值，超過耐壓值會對元件有損傷，比如超過二極管、電容等，電壓超過元件的耐壓值會導致它們擊穿，如果能量很大會導致熱擊穿，元件會報廢。

振動沖擊影響

機械振動與沖擊會使一些內(nèi)部有缺陷的元件加速失效，造成災(zāi)難性故障，機械振動還會使焊點、壓線點發(fā)生松動，導致接觸不良；若振動導致導線不應(yīng)有的碰連，會產(chǎn)生一些意象不到的后果。

可能引起的故障模式，及失效分析。

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